Wafer mit höchster Oberflächenqualität

Die erstklassige Oberflächenstruktur der Wafer, sowie beste Warp- und TTV-Werte, machen die DS 261 zur führenden Drahtsäge in der Halbleiterindustrie. Die DS 261 erbringt technologische und qualitative Spitzenleistungen und wird insbesondere für das Trennen von 12 Zoll Wafern eingesetzt.

  • Schnelles und effizientes Trennen
  • Beste Warp- und TTV-Werte
  • Nanotopologische Höchstwerte
  • Integrierte Werkstückorientierung


Breites Anwendungsspektrum - Maximaler Yield

Nebst Silizium trennt die DS 261 auch andere harte und spröde Materialien wie Quarz, Saphir oder Galliumarsenid in den unterschiedlichsten Dimensionen. Der hohe Qualitätsstandard von Konstruktion und Verarbeitung gewähren einen maximalen Yield und nanotopologische Höchstwerte.

Maschinendetails Spezifikationen
Werkstückabmessung Max. ø 305 mm (12")
Beladelänge   400 mm
Bereich Draht-ø   0,100 — 0,175 mm
Schleifmittel   Slurry
Maschinenabmessung, l x b x h   4109 × 2929 × 3325 mm
Maschinengewicht   12000 kg
Anschlussleistung   50 kW
Spannung / Frequenz   3 × 400 V / 50 Hz ; 3 × 480 V / 60 Hz
Druckluft   4 — 7 bar
Kühlmittel   Wasser
Abluft   Unabdingbar
Slurrymanagement   Option
Klimatisierter Raum   Von Vorteil

Maschinendetails Beispiel 1 Beispiel 2
Wafergrösse 305 mm (12'') 203 mm (8'')
Beladelänge 400 mm 400 mm
Waferdicke 950 µm 830 µm
Drahtdicke 160 µm 160 µm
Anzahlt Wafer pro Jahr* ~160 · 103 ~330 · 103
* abhängig von den Produktionsparametern des Kunden